深硅刻蚀工艺高级工程师 30-60万

1. 核心刻蚀工艺管理：主导 Bosch工艺及低温深硅刻蚀（Cryo-DRIE)的开发与维护，实现超高深宽比（≥ 40:1）的垂直通孔或沟槽刻蚀。
2. 形貌控制：负责优化侧壁Profile、底部平整度及Scallop的平滑度，严格管控刻蚀选择比及微负载效应。
3. 设备稳定性：负责深硅刻蚀机台（ICP/CCP）的日常参数监控（RF功率、腔体压力、气体流量及温度），解决刻蚀过程中的弧光放电及聚合物残留问题。
4. 新产品导入：对接MEMS传感器、硅基光电子（SiPh）领域工艺需求，制定针对不同掩膜材料（SiO₂、金属硬掩膜）的刻蚀Recipe。
任职要求：
1. 学历背景：本科士及以上学历，等离子体物理、微电子、半导体器件等相关专业。
2. 工作经验：本科5年以上，硕士3年以上半导体刻蚀领域经验，有MEMS或TSV量产经验者优先。
3. 专业技能：精通主流DRIE设备的操作及高级调参。
4. 素质要求：抗压能力强，逻辑严谨；

苏州某半导体无源器件设计生产企业